Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RN4987FE,LF(CT

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных: RN4987FE,LF(CT
Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Active
Мощность - Макс 100mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-563, SOT-666
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Сопротивление - База (R1) 10kOhms
Частота - Переход 250MHz, 200MHz
Пакет устройств поставщика ES6
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 47kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 27595 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

MUN5114DW1T1G
ON Semiconductor
$0
MUN5333DW1T1G
ON Semiconductor
$0
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
$0
MUN5212DW1T1G
ON Semiconductor
$0
MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
$0