Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

TK3A60DA(Q,M)

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: TK3A60DA(Q,M)
Описание: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии π-MOSVII
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) 4.4V @ 1mA
Операционная температура 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 30W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220SIS
Заряд ворот (Кг) (Макс) 9nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 380pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 2.5A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 50 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.15 $1.13 $1.10
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

R6007JNJGTL
ROHM Semiconductor
$0
SQD10950E_GE3
Vishay / Siliconix
$1.14
STD100N10LF7AG
STMicroelectronics
$1.13
IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
$0
DMN90H8D5HCT
Diodes Incorporated
$1.12