Image is for reference only , details as Specifications
TPD3215M
| Производителей: | Transphorm |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | TPD3215M |
| Описание: | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Transphorm |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | - |
| Тип FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Упаковки | Bulk |
| Функция FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Статус части | Obsolete |
| Мощность - Макс | 470W |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет / Дело | Module |
| Vgs (th) (Max) | - |
| Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| Пакет устройств поставщика | Module |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 28nC @ 8V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 600V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 2260pF @ 100V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 70A (Tc) |
На складе 67 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $178.83 | $175.25 | $171.75 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
