Image is for reference only , details as Specifications

VS-GT50TP60N

Производителей: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: VS-GT50TP60N
Описание: IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench
Статус части Last Time Buy
Мощность - Макс 208W
Конфигурации Half Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело INT-A-PAK (3 + 4)
Операционная температура 175°C (TJ)
Пакет устройств поставщика INT-A-PAK
Vce (на) (Макс) 2.1V @ 15V, 50A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 85A
Вхотогие емки (Cies) 3.03nF @ 30V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 600V

На складе 72 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$143.27 $140.40 $137.60
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FP75R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
$142.62
MWI100-12T8T
IXYS
$141.79
GSID200A170S3B1
Global Power Technologies Group
$141.47
FS100R12KT4GB11BOSA1
Infineon Technologies
$140.67
FF300R12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
$139.7