Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRFD110PBF

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRFD110PBF
Описание:	MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (th) (Max)	4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	540mOhm @ 600mA, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1.3W (Ta)
Пакет устройств поставщика	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Заряд ворот (Кг) (Макс)	8.3nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	180pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	1A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V