Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SI4900DY-T1-E3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: SI4900DY-T1-E3
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии TrenchFET®
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 3.1W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер базовой части SI4900
Vgs (th) (Max) 3V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 58mOhm @ 4.3A, 10V
Пакет устройств поставщика 8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс) 20nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 665pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 5.3A

На складе 11224 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NVMFD5C466NLWFT1G
ON Semiconductor
$0.57
SIZF906DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$1.64
SI4816BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI7220DN-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
CSD87313DMST
NA
$1.34