Image is for reference only , details as Specifications

SIR412DP-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SIR412DP-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	12mOhm @ 10A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Заряд ворот (Кг) (Макс)	16nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	25V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	600pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	20A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V