Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIRA12DP-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SIRA12DP-T1-GE3
Описание: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET®
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) +20V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) 2.2V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 4.5W (Ta), 31W (Tc)
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
Заряд ворот (Кг) (Макс) 45nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2070pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 25A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 2222 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DMTH4007LK3-13
Diodes Incorporated
$0.84
FK8V03050L
Panasonic Electronic Components
$0
TPN22006NH,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RF4E070BNTR
ROHM Semiconductor
$0.86
IRFR9014TRPBF
Vishay / Siliconix
$0