Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIRA58DP-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SIRA58DP-T1-GE3
Описание: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET®
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) +20V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) 2.4V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 27.7W (Tc)
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
Заряд ворот (Кг) (Макс) 75nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 40V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 3750pF @ 20V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 60A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 5280 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NTMS4807NR2G
ON Semiconductor
$0
IPN80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
$0
TSM650N15CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
TSM026NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
TPH3R003PL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0