Image is for reference only , details as Specifications

SISH410DN-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SISH410DN-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	PowerPAK® 1212-8SH
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8SH
Заряд ворот (Кг) (Макс)	41nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1600pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	22A (Ta), 35A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V