Image is for reference only , details as Specifications

SISS02DN-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SISS02DN-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET® Gen IV
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	+16V, -12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (th) (Max)	2.2V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	1.2mOhm @ 15A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	83nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	25V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	4450pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	51A (Ta), 80A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V