Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SISS66DN-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SISS66DN-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 30V W/SCHOTTKY PP 12
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET® Gen IV
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	+20V, -16V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Schottky Diode (Body)
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	1.38mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8S
Заряд ворот (Кг) (Макс)	85.5nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	3327pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V