Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SISS23DN-T1-GE3

Производителей: Vishay / Siliconix
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: SISS23DN-T1-GE3
Описание: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Vishay / Siliconix
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии TrenchFET®
Тип FET P-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело PowerPAK® 1212-8S
Vgs (th) (Max) 900mV @ 250µA
Операционная температура -50°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 300nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 8840pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 50A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 1.8V, 4.5V

На складе 53 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SUD20N10-66L-GE3
Vishay / Siliconix
$0.84
SIS438DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
FDD1600N10ALZ
ON Semiconductor
$0
BSP315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
DMN4008LFG-7
Diodes Incorporated
$0