Image is for reference only , details as Specifications

SIZ200DT-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных:	SIZ200DT-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH DUAL 30V
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии	TrenchFET® Gen IV
Тип FET	2 N-Channel (Dual)
Упаковки	Digi-Reel®
Функция FET	Standard
Статус части	Active
Мощность - Макс	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerWDFN
Vgs (th) (Max)	2.4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Пакет устройств поставщика	8-PowerPair® (3.3x3.3)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)