Image is for reference only , details as Specifications

SIZ998DT-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных:	SIZ998DT-T1-GE3
Описание:	MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии	TrenchFET®
Тип FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
Упаковки	Digi-Reel®
Функция FET	Standard
Статус части	Active
Мощность - Макс	20.2W, 32.9W
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerWDFN
Vgs (th) (Max)	2.2V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Пакет устройств поставщика	8-PowerPair®
Заряд ворот (Кг) (Макс)	8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	20A (Tc), 60A (Tc)