Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIZF916DT-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных:	SIZF916DT-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH DUAL 30V
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии	TrenchFET® Gen IV
Тип FET	2 N-Channel (Dual)
Упаковки	Digi-Reel®
Функция FET	Standard
Статус части	Active
Мощность - Макс	3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerWDFN
Vgs (th) (Max)	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Пакет устройств поставщика	8-PowerPair® (6x5)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	23A (Ta), 40A (Tc)