Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

SIZF920DT-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных:	SIZF920DT-T1-GE3
Описание:	MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии	TrenchFET® Gen IV
Тип FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
Упаковки	Digi-Reel®
Функция FET	Standard
Статус части	Active
Мощность - Макс	3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerWDFN
Vgs (th) (Max)	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Пакет устройств поставщика	8-PowerPair® (6x5)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)