Image is for reference only , details as Specifications

SUP85N10-10-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SUP85N10-10-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-220-3
Vgs (th) (Max)	3V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	10.5mOhm @ 30A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3.75W (Ta), 250W (Tc)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	160nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	6550pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	85A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V