ZXMN2A04DN8TA
Производителей: | Diodes Incorporated |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | ZXMN2A04DN8TA |
Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Diodes Incorporated |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | - |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
Упаковки | Cut Tape (CT) |
Функция FET | Logic Level Gate |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 1.8W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs (th) (Max) | 700mV @ 250µA (Min) |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 25mOhm @ 5.9A, 4.5V |
Пакет устройств поставщика | 8-SO |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 22.1nC @ 5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1880pF @ 10V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 5.9A |
На складе 276 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.88 | $1.84 | $1.81 |
Минимальный: 1