Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

ZXMN2A04DN8TA

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: ZXMN2A04DN8TA
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии -
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Cut Tape (CT)
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 1.8W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) 700mV @ 250µA (Min)
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Пакет устройств поставщика 8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс) 22.1nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1880pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 5.9A

На складе 276 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.88 $1.84 $1.81
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SIZF920DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIZ900DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
NVMFD5853NT1G
ON Semiconductor
$0
STS8C5H30L
STMicroelectronics
$0
SQ4949EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0