Image is for reference only , details as Specifications

GSID200A120S3B1

Производителей: Global Power Technologies Group
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: GSID200A120S3B1
Описание: SILICON IGBT MODULES
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Global Power Technologies Group
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии Amp+™
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 1595W
Конфигурации 2 Independent
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело D-3 Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика D3
Vce (на) (Макс) 2V @ 15V, 200A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 400A
Вхотогие емки (Cies) 20nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 63 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$93.42 $91.55 $89.72
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DDB6U180N16RRB11BPSA1
Infineon Technologies
$92.77
FF150R12ME3GBOSA1
Infineon Technologies
$92.4
FD200R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
$92.29
DF200R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
$92.29
BSM100GB120DLCKHOSA1
Infineon Technologies
$90.99