Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IXTA1N100P

Производителей: IXYS
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IXTA1N100P
Описание: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя IXYS
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии Polar™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 4.5V @ 50µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 15Ohm @ 500mA, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 50W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-263 (IXTA)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 15.5nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 1000V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 331pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 87 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.86 $1.82 $1.79
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DMN95H2D2HCTI
Diodes Incorporated
$1.85
IXFP7N60P3
IXYS
$1.85
IXTP8N65X2M
IXYS
$1.85
TK13E25D,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.85
IXTP1R6N100D2
IXYS
$1.85