Image is for reference only , details as Specifications

F3L200R07PE4BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: F3L200R07PE4BOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 650V 200A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 680W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 1.95V @ 15V, 200A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 200A
Вхотогие емки (Cies) 12.5nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 650V

На складе 71 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$143.73 $140.86 $138.04
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

VS-GT50TP60N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$143.27
FP75R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
$142.62
MWI100-12T8T
IXYS
$141.79
GSID200A170S3B1
Global Power Technologies Group
$141.47
FS100R12KT4GB11BOSA1
Infineon Technologies
$140.67