Image is for reference only , details as Specifications

FF225R17ME4B11BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FF225R17ME4B11BOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 1500W
Конфигурации 2 Independent
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.3V @ 15V, 225A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 340A
Вхотогие емки (Cies) 18.5nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 3mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1700V

На складе 59 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$144.58 $141.69 $138.85
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FS100R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
$144.43
CM75TU-12F
Powerex, Inc.
$143.99
F3L200R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
$143.73
VS-GT50TP60N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$143.27
FP75R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
$142.62