Image is for reference only , details as Specifications

IPB180N04S4H0ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB180N04S4H0ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (th) (Max) 4V @ 180µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1.1mOhm @ 100A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 250W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 225nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 40V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 17940pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 180A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 1398 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STP10N60M2
STMicroelectronics
$1.68
IRF640NLPBF
Infineon Technologies
$1.68
FDPF10N60NZ
ON Semiconductor
$1.66
CSD19503KCS
NA
$1.65
IPB035N08N3GATMA1
Infineon Technologies
$0