Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSM250D17P2E004

Производителей: ROHM Semiconductor
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: BSM250D17P2E004
Описание: HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ROHM Semiconductor
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии -
Тип FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Функция FET Silicon Carbide (SiC)
Статус части Active
Мощность - Макс 1800W (Tc)
Тип монтажа Chassis Mount
Пакет / Дело Module
Vgs (th) (Max) 4V @ 66mA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs -
Пакет устройств поставщика Module
Заряд ворот (Кг) (Макс) -
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 1700V (1.7kV)
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 30000pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 250A (Tc)

На складе 12 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$918.40 $900.03 $882.03
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FF6MR12W2M1B11BOMA1
Infineon Technologies
$304.56
FF8MR12W2M1B11BOMA1
Infineon Technologies
$233.75
FS45MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
$133.67
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
$57.6