Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSM300D12P2E001

Производителей: ROHM Semiconductor
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: BSM300D12P2E001
Описание: MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ROHM Semiconductor
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии -
Тип FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Упаковки Tray
Функция FET Silicon Carbide (SiC)
Статус части Active
Мощность - Макс 1875W
Тип монтажа Chassis Mount
Пакет / Дело Module
Vgs (th) (Max) 4V @ 68mA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs -
Пакет устройств поставщика Module
Заряд ворот (Кг) (Макс) -
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 1200V (1.2kV)
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 35000pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 300A (Tc)

На складе 22 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$663.08 $649.82 $636.82
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSM080D12P2C008
ROHM Semiconductor
$301.74
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
$155.83
AUIRF7341QTR
Infineon Technologies
$0
AUIRF7313QTR
Infineon Technologies
$0
IPG20N04S4L07ATMA1
Infineon Technologies
$0